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主讲人：于盛旺时间：2024年8月26日（周一）下午14:00地点：中心校区半导体研发大楼第一会议室报告摘要MPCVD法是制备高品质金刚石的最佳方法，近几年MPCVD技术发展迅速。本报告主要介绍...
主讲人：姜辛时间：2024年8月26日（周一）下午14:00地点：中心校区半导体研发大楼第一会议室报告摘要1、Different diamond and carbon-based composite films and structures have been ...
主讲人：靳彩霞时间：2024年5月9日（周四）下午15:00地点：中心校区半导体研发大楼第一会议室报告摘要耐高温、抗腐蚀SiC/TaC涂层石墨部件广泛应用于宽禁带半导体单晶生长、外延和材料刻...
主讲人：杜春水时间：2024年4月9日（周二）下午15:00地点：中心校区半导体研发大楼第一会议室报告摘要发展新能源是实现碳达峰、碳中和的有效途径，攸关国家经济发展和能源安全。面向国家...
主讲人：刘金龙时间：2024年1月30日（周二）下午14:00地点：中心校区半导体研发大楼第一会议室报告摘要近年来随着CVD金刚石制备技术的进步，其应用得到极大拓展。本次报告主要介绍了当前...
主讲人：Evgeny Gusev时间：2023年11月15日（周三）上午10:00地点：中心校区半导体研发大楼第一会议室报告摘要The report is focused on surface preparation of silicon carbide substr...
主讲人：乔焜时间：2023年10月30日（周一）上午10:00地点：中心校区半导体研发大楼第一会议室报告摘要基于GaN单晶衬底进行同质外延制备的GaN-on-GaN垂直型器件相较于非GaN衬底上生成的横...
主讲人：万成安时间：2023年10月26日（周四）上午10:00地点：中心校区半导体研发大楼第一会议室报告摘要随着我国航天技术的快速发展，航天器电源系统面临传统的硅功率器件极限问题，宽禁...
主讲人：陈宏时间：2023年10月10日（周三）上午9:00地点：中心校区半导体研发大楼学术报告厅报告摘要碳化硅做为宽禁带半导体典型代表，近年来得到飞速的发展。报告从SiC材料生长及器件制...
主讲人：李炳生时间：2023年4月27日（周四）下午14:00地点：中心校区半导体研发大楼学术报告厅、腾讯会议报告摘要βGa2O3在深紫外光电器件和功率器件等领域有重大应用前景。它的禁带宽度...
